快速熱退火
快速—熱退火( RTA) 是半導體加工工藝中的一種常規技術手段，一般用來激活半導體材料中的摻雜元素和將由離子注入造成的非晶結構恢復為完整晶格結構。
基本介紹
中文名：快速—熱退火外文名：Rapid Thermal Annealing英文縮寫：RTA
快速熱退火 (RTA)技術指的是將晶片從環境溫度快速加熱至約1000–1500K，晶片達到該溫度後會保持幾秒鐘，然後完成淬火。這種技術主要被套用於薄膜電晶體 、太陽電池等器件生產過程中的摻雜、點缺陷退火、雜質激活等高溫( >700 ℃)過程。在低溫器件，如玻璃襯底的多晶矽薄膜太陽電池套用中也具有很大的潛力 。固相晶化非晶矽 (a- S i)薄膜法是一種最常見的間接製備多晶矽薄膜方法 。這種技術的優點是能實現薄膜大面積化，且工藝簡單 。但傳統的電熱爐退火進行固相晶化時，晶化時間長達幾個至幾十個小時，耗能及製造成本高 。而採用 RTA，在較高溫度下幾分鐘內就可使非晶矽晶化，而且晶化後的多晶矽膜缺陷較少、內應力小。
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